深圳真茂佳半導體有限公司成立于2016年10月，2022年成立日本真茂佳半導體株式會社，是一家專注于車規(guī)級功率半導體設計的國家級高新技術(shù)企業(yè)，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和品牌。
團隊：核心技術(shù)成員擁有20年以上功率半導體器件設計、工藝開發(fā)、封裝研發(fā)及應用經(jīng)驗，其中日籍研發(fā)人員曾在瑞薩、富士電機、安森美等國際半導體巨頭廠商以主要設計負責人的角色主導開發(fā)車規(guī)級產(chǎn)品；核心管理人員具有國內(nèi)IDM企業(yè)和世界500強企業(yè)的高管經(jīng)驗。
產(chǎn)品：公司已推出中低壓車規(guī)級MOSFET產(chǎn)品103顆，位列車規(guī)MOSFET廠家第七；低中高壓全系產(chǎn)品，共計700+種型號，性能達到世界一流水平。車規(guī)級SiC 二極管產(chǎn)品已經(jīng)推出，性能達到國際同類器件水平；2023年將推出SiC MOSFET車規(guī)器件和IGBT車規(guī)器件、200V-300V GaN器件、車用高邊智能開關(guān) 。目前申請專利51項，其中發(fā)明27項，已授權(quán)發(fā)明13項；后續(xù)也將以30項/年的速度持續(xù)申請（其中發(fā)明專利預計占比50%）。
市場：汽車市場為主，并在燃油噴射系統(tǒng)、域控制器、ESC、EPS、線性剎車系統(tǒng)、變速箱油泵、BMS、車燈、OBC、熱管理系統(tǒng)等應用中批量供貨；在儲能、新能源、數(shù)據(jù)中心、服務器及消費類市場持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。
核心競爭力:通過柵極自鉗位專利技術(shù)，使得器件使用過程中產(chǎn)生的 VGS 尖峰電壓實現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡專利技術(shù)可以使器件使用過程的 Vds 尖峰控制在較低水平。通過優(yōu)化器件的縱向摻雜分布使器件的電容曲線平滑，有效提升了 EMI 能力。針對同步整流應用，優(yōu)化了寄生二極管的反向恢復特性。通過提高二極管的軟恢復因子，可以有效抑制尖峰提升 EMI 能力。
